title: Radiation defects in thin dielectric films induced by irradiation with helium ions
metadata.name: dc.contributor.advisor
metadata.value: Дрозд Виктор Евгеньевич
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.contributor.author
metadata.value: Григорьев Евгений Анатольевич
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.contributor.author
metadata.value: Grigorev Evgenii
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.contributor.editor
metadata.value: Барабан Александр Петрович
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.contributor.editor
metadata.value: Baraban Aleksandr Petrovich
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.date.accessioned
metadata.value: 2018-07-25T20:18:05Z
metadata.lang: -
metadata.name: dc.date.available
metadata.value: 2018-07-25T20:18:05Z
metadata.lang: -
metadata.name: dc.date.issued
metadata.value: 2017
metadata.name: dc.identifier.other
metadata.value: 034176
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.identifier.uri
metadata.value: http://hdl.handle.net/11701/11318
metadata.lang: -
metadata.name: dc.description.abstract
metadata.value: В дипломной работе исследовалось влияние имплантации ионов гелия в пленку диоксида кремния на скорость ее травления в водном растворе плавиковой кислоты. Ионная имплантация выполнялась с помощью гелиевого ионного микроскопа. Дозы облучения и время травления варьировались. После травления все образцы исследовались с помощью сканирующего электронного микроскопа и атомно-силового микроскопа. В облученных областях после травления образовались ямки. Была получена зависимость скорости травления облученной пленки оксида кремния от глубины. Мы предполагаем, что ионная имплантация приводит к генерации ионно-индуцированных дефектов, которые ускоряют процесс травления. При помощи компьютерного моделирования было рассчитано распределение концентрации дефектов от глубины. Сравнивая зависимости скорости травления и концентрации дефектов от глубины, перешли к зависимости скорости травления от концентрации дефектов.
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.description.abstract
metadata.value: In bachelor work we investigated the effect of helium ion implantation on the etching rate of film of silicon dioxide in water based hydrofluoric acid solution. Helium ion microscope was used for performing ion implantation. Ion fluences and time of etching was varied. After etching all samples were investigated with a scanning electron microscope and atomic force microscope. After etching in irradiated areas the formation of wells was observed. The dependence of the etching rate of irradiated film of silicon dioxide on the depth was obtained. We suggest that ion implantation leads to formation of ion-induced defects, which enhance etching process. Computer simulation was used to obtain the depth distribution of ion-induced defects. Comparing the dependence of the etching rate on the depth and the dependence of the concentration of defects on the depth, we obtained the dependence of etching rate on the concentration of defects.
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.language.iso
metadata.value: ru
metadata.name: dc.subject
metadata.value: Ионная имплантация
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.subject
metadata.value: ионно-индуцированные дефекты
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.subject
metadata.value: диоксид кремния
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.subject
metadata.value: травление
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.subject
metadata.value: Ion implantation
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.subject
metadata.value: ion-induced defects
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.subject
metadata.value: silicon dioxide
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.subject
metadata.value: etching
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.title
metadata.value: Radiation defects in thin dielectric films induced by irradiation with helium ions
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.title.alternative
metadata.value: Радиационные дефекты в тонких диэлектрических пленках, возникающие при облучении ионами гелия
metadata.lang: ru_RU
resources.filename: Grigorev_bakalavrskaya.docx
resources.url: https://dspace.spbu.ru/bitstream/11701/11318/1/Grigorev_bakalavrskaya.docx
resources.format: Microsoft Word XML
resources.description: Article
resources.size: 4,84 MB
resources.filename: reviewSV_Grigorev_EA_bak_rec.pdf
resources.url: https://dspace.spbu.ru/bitstream/11701/11318/2/reviewSV_Grigorev_EA_bak_rec.pdf
resources.format: Adobe PDF
resources.description: ReviewRev
resources.size: 1,51 MB
resources.filename: reviewSV_st004225_Baraban_Aleksandr_Petrovich_(supervisor)(Ru).txt
resources.url: https://dspace.spbu.ru/bitstream/11701/11318/3/reviewSV_st004225_Baraban_Aleksandr_Petrovich_%28supervisor%29%28Ru%29.txt
resources.format: Text
resources.description: ReviewSV
resources.size: 4,55 kB