title: Modelling electrostatic potential distribution in surficial region of silicon carbide semiconductor
metadata.name: dc.contributor.advisor
metadata.value: Едаменко Николай Семенович
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.contributor.author
metadata.value: Маркаков Дмитрий Евгеньевич
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.contributor.author
metadata.value: Markakov Dmitrii
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.contributor.editor
metadata.value: Никифоров Константин Аркадьевич
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.contributor.editor
metadata.value: Nikiforov Konstantin Аrkаdevich
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.date.accessioned
metadata.value: 2018-07-25T20:12:08Z
metadata.lang: -
metadata.name: dc.date.available
metadata.value: 2018-07-25T20:12:08Z
metadata.lang: -
metadata.name: dc.date.issued
metadata.value: 2017
metadata.name: dc.identifier.other
metadata.value: 033448
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.identifier.uri
metadata.value: http://hdl.handle.net/11701/11191
metadata.lang: -
metadata.name: dc.description.abstract
metadata.value: В работе изучается распределение электростатического потенциала в приповерхностной области полупроводника. Представлены физическая и математическая модели в рамках классической теории. Проведено компьютерное моделирование для карбида кремния и других полупроводниковых материалов.
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.description.abstract
metadata.value: Studying distribution of electrostatic potential in surface region of semiconductor is presented. Physical and mathematical models are discussed in terms of classical theory. Computer simulation for silicon carbide and other semiconductor materials are implemented.
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.language.iso
metadata.value: ru
metadata.name: dc.subject
metadata.value: Карбид кремния
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.subject
metadata.value: python
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.subject
metadata.value: полупроводник
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.subject
metadata.value: потенциал
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.subject
metadata.value: эффективные массы
metadata.lang: ru_RU
metadata.name: dc.subject
metadata.value: Silicon carbide
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.subject
metadata.value: python
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.subject
metadata.value: semiconductor
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.subject
metadata.value: potential
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.subject
metadata.value: effective masses
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.title
metadata.value: Modelling electrostatic potential distribution in surficial region of silicon carbide semiconductor
metadata.lang: en_GB
metadata.name: dc.title.alternative
metadata.value: Моделирование распределения электростатического потенциала в приповерхностной области полупроводника карбида кремния
metadata.lang: ru_RU
resources.filename: Markakov_1.pdf
resources.url: https://dspace.spbu.ru/bitstream/11701/11191/1/Markakov_1.pdf
resources.format: Adobe PDF
resources.description: Article
resources.size: 806,66 kB
resources.filename: reviewSV_st003430_Edamenko_Nikolaj_Semenovich_(reviewer)(Ru).txt
resources.url: https://dspace.spbu.ru/bitstream/11701/11191/2/reviewSV_st003430_Edamenko_Nikolaj_Semenovich_%28reviewer%29%28Ru%29.txt
resources.format: Text
resources.description: ReviewRev
resources.size: 3,7 kB
resources.filename: reviewSV_st001009_Nikiforov_Konstantin_Arkadevich_(supervisor)(Ru).txt
resources.url: https://dspace.spbu.ru/bitstream/11701/11191/3/reviewSV_st001009_Nikiforov_Konstantin_Arkadevich_%28supervisor%29%28Ru%29.txt
resources.format: Text
resources.description: ReviewSV
resources.size: 1,51 kB