Энергетические спектры и неравновесные состояния в твердых растворах на основе теллурида свинца Rambler's Top100
РФФИ        Российский фонд фундаментальных исследований - самоуправляемая государственная организация, основной целью которой является поддержка научно-исследовательских работ по всем направлениям фундаментальной науки на конкурсной основе, без каких-либо ведомственных ограничений
 
На главную Контакты Карта сайта
Система Грант-Экспресс
WIN-1251
KOI8-R
English
Rambler's Top100
 

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ И НЕРАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА

         1. Общий анализ проблематики исследований по заданному направлению
         2. Совокупность исследований МСХС, проведенных при поддержке РФФИ Стабилизация положения уровня Ферми
         Долговременные релаксационные процессы
         Кинетика фотопроводимости
         Явления в сильных электрических полях
         Оптическое поглощение
         Спектры фотопроводимости
         Магнитные свойства
         Термостимулированные токи
         Электротермические неустойчивости
         Диодные структуры
         Теоретические модели
         Прикладные аспекты
         Заключительные замечания
         3. Проблематика проектов РФФИ
         Литература

3. ПРОБЛЕМАТИКА ПРОЕКТОВ РФФИ

Данный цикл работ в основном выполнен совместно с организациями:

ФГУП ГНЦ "ГИРЕДМЕТ", Институт физики полупроводников СО РАН, Институт прикладной физики АН Молдовы, ГУП НПО "ОРИОН", Химический факультет МГУ, Черновицкое отделение Института проблем материаловедения НАНУ, ФГУП ЦНИИ "КОМЕТА".

В рамках международного сотрудничества работы проводились с организациями: Университет г. Линца (Австрия), Университет Байройта (Германия), Институт физики (Варшава, Польша), Университет Рочестера (США), Университет Бен-Гурион (Израиль).

Представленные результаты выполнялись в рамках проектов РФФИ:

  • 95-02-04658 «DX-подобные центры в узкозонных полупроводниках группы IV-VI»
  • ИНТАС-РФФИ 95-1136 «Growth, characterization and investigation of the galvanomagnetic, optical and photoelectric phenomena in IV-VI two-dimensional structures grown on the semiinsulating lattice matched subsrtates»
  • 96-02-16275 «Межпримесная корреляция, неустойчивости и волновые процессы в полупроводниках группы А4В6»
  • 96-15-96500 «Исследование энергетических спектров многокомпонентных полупроводниковых соединений (при комбинированном воздействии легирования, радиационного облучения, давлений, сильных электрических и магнитных полей при низких температурах) »
  • Грант Президента РФ для молодых ученых – докторов наук 96-15-96957 «Экспериментальное исследование DX-подобных примесных центров в узкозонных полупроводниках группы IV-VI»-98-02-17317 «Проблема магнитных примесей в узкозонных полупроводниках класса IV-VI»
  • 99-02-17531 «Метастабильные электронные состояния и элементы самоорганизации в сплавах на основе теллурида свинца»
  • 00-15-96784 «Исследование энергетических спектров многокомпонентных полупроводниковых соединений (при комбинированном воздействии легирования, радиационного облучения, давлений, сильных электрических и магнитных полей при низких температурах)»
  • 01-02-16356 «Спектры фотопроводимости сплавов на основе теллурида свинца, легированных элементами III группы».

Авторы благодарны РФФИ за всестороннюю поддержку.

Таблица
Основные свойства твердых растворов на основе легированного теллурида свинца*

PbTe(In)n=6x1018 см-3, (EF-EC)=70 мэВ, Tc~20 K
PbTe(Ga)(EC-EF)~65-70 мэВ, Tc~80 K
PbTe(Cr)n=1.3x1019 см-3, (EF-EC)=100 мэВ, ПМПП
PbSe(Cr)n=1.8x1019 см-3, (EF-EC)=125 мэВ, ПМПП
PbTe(Tl)p>1019 см-3, сверхпроводимость при T<3 K
PbTe(Yb)EF близка к EV
Pb1-xSnxTe(In)Полуизолирующее состояние при 0.22<x<0.28, Tc~20 K
Pb1-xSnxTe(Ga)n-p конверсия под давлением
Pb1-xMnxTe(In)Полуизолирующее состояние при x>0.05, Tc~20 K
Pb1-xMnxTe(Ga)Полуизолирующее состояние, Tc~80 K
Pb1-xGexTe(In)Полуизолирующее состояние при x>0.08, Tc~80 K
Pb1-xGexTe(Ga)Полуизолирующее состояние, Tc~80 K
Pb1-x-yMnxYbyTe
0.0201<x<0.0239
0.054<y<0.0103
p-тип, полуизолирующее состяние, возрастание (EV-EF) при увеличении x и y
Pb1-xGexTe(Yb)переход метал-диэлектрик при x~0.01
Pb1-x-ySnyGdxTe
x=0.04
n-p-конверсия при увеличении y

*n,p и EF даны при T=4.2 K, ПМПП – полумагнитный полупроводник, Tc – температура появления задержанной фотопроводимости.

   
Copyright © 1997-2007 РФФИ Дизайн и программирование: Intra-Center